石(shi)墨热场(chang)托(tuo)(tuo)杆(gan)是单晶(jing)(jing)硅(gui)或多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)生(sheng)长(zhang)(zhang)设备（如(ru)直(zhi)拉(la)法(fa)Czochralski，简称CZ法(fa)或区熔法(fa)FZ法(fa)）中(zhong)热场(chang)系统(tong)的(de)(de)关键部(bu)件，其(qi)核心用途与石(shi)墨材料的(de)(de)特性(xing)及热场(chang)环境需(xu)求密切相关。支撑与固定(ding)坩(gan)埚/籽晶(jing)(jing)杆(gan)坩(gan)埚支撑：在直(zhi)拉(la)法(fa)单晶(jing)(jing)硅(gui)生(sheng)长(zhang)(zhang)中(zhong)，石(shi)墨托(tuo)(tuo)杆(gan)通常位(wei)于(yu)热场(chang)底(di)部(bu)，用于(yu)支撑装载多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)原料的(de)(de)石(shi)英坩(gan)埚。通过精确的(de)(de)机械(xie)设计，托(tuo)(tuo)杆(gan)需(xu)承(cheng)受(shou)坩(gan)埚及熔硅(gui)的(de)(de)重量（可达数百公斤），同时保(bao)持热场(chang)结构的(de)(de)稳定(ding)性(xing)。籽晶(jing)(jing)杆(gan)定(ding)位(wei)：在区熔法(fa)中(zhong)，托(tuo)(tuo)杆(gan)可能用于(yu)固定(ding)籽晶(jing)(jing)杆(gan)，确保(bao)其(qi)与多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)棒的(de)(de)精确对(dui)齐，为单晶(jing)(jing)生(sheng)长(zhang)(zhang)提供初始晶(jing)(jing)核。

高效热(re)传导与温(wen)度(du)控(kong)制(zhi)均匀热(re)分布(bu)：石(shi)墨具有(you)优异(yi)的导热(re)性（约(yue)150 W/m·K），托杆通过传导热(re)量，帮助(zhu)热(re)场(chang)(chang)实(shi)现梯度(du)温(wen)度(du)分布(bu)，满(man)足晶体生长对温(wen)度(du)场(chang)(chang)的严格要(yao)求(qiu)（如直拉法中熔硅表面温(wen)度(du)需精确控(kong)制(zhi)在1420°C左右）。隔热(re)与保温(wen)：托杆结(jie)(jie)构(gou)可能设计(ji)为(wei)中空或复(fu)合(he)层结(jie)(jie)构(gou)，结(jie)(jie)合(he)石(shi)墨毡等(deng)隔热(re)材料(liao)，减少热(re)量向设备外(wai)部散失，提升热(re)场(chang)(chang)能效。

耐(nai)高温(wen)与(yu)化学(xue)惰性极端(duan)环境耐(nai)受：晶体(ti)生长需在惰性气体(ti)（如氩气）保(bao)护(hu)下，于1500°C以上(shang)高温(wen)进行。石墨托(tuo)杆需承受此高温(wen)而(er)不(bu)发生软化、变形(xing)或分解，确保(bao)热场长期稳定运行。抗化学(xue)腐(fu)蚀：石墨对(dui)熔硅(gui)、硅(gui)蒸气及杂质（如氧、碳(tan)）具有化学(xue)惰性，避免在高温(wen)下与(yu)硅(gui)材(cai)料反应，防止污染晶体(ti)或损坏(huai)托(tuo)杆。