石(shi)(shi)墨棒(bang)的使用温(wen)(wen)度(du)(du)(du)范围较(jiao)广(guang)，但具体上(shang)(shang)限(xian)取决于其类型(xing)、纯(chun)度(du)(du)(du)、使用环境以(yi)及是否经过特(te)殊处理。普通工业级石(shi)(shi)墨棒(bang)。使用温(wen)(wen)度(du)(du)(du)范围：一般(ban)在(zai)1000℃至2000℃之间(jian)。说明：这(zhei)类石(shi)(shi)墨棒(bang)常(chang)用于一些常(chang)规的高(gao)温(wen)(wen)工业场景(jing)，如冶金行业的部分(fen)熔炼、铸造环节，以(yi)及化(hua)工行业中的一些高(gao)温(wen)(wen)反应容器等(deng)。在(zai)1000℃ – 2000℃的温(wen)(wen)度(du)(du)(du)区间(jian)内，石(shi)(shi)墨棒(bang)能够保(bao)持相对稳定的物理和化(hua)学性(xing)能，满足基本(ben)的工业生产需求。不(bu)过，随着温(wen)(wen)度(du)(du)(du)接(jie)近上(shang)(shang)限(xian)，石(shi)(shi)墨棒(bang)的氧化(hua)速度(du)(du)(du)会(hui)加快(kuai)，强度(du)(du)(du)可能会(hui)有(you)所下降。

高(gao)纯(chun)石(shi)(shi)墨(mo)棒。使(shi)用温(wen)度(du)范围(wei)：通常(chang)在2000℃至3000℃之间(jian)。说明：高(gao)纯(chun)石(shi)(shi)墨(mo)棒具有(you)更高(gao)的(de)纯(chun)度(du)和(he)更好的(de)性能，其(qi)杂质含量极低(di)，这使(shi)得它(ta)在高(gao)温(wen)下具有(you)更好的(de)稳(wen)定性和(he)抗氧化性。在半导体制造、高(gao)温(wen)真空炉(lu)、核能等(deng)高(gao)端领域(yu)中，高(gao)纯(chun)石(shi)(shi)墨(mo)棒能够在2000℃ – 3000℃的(de)高(gao)温(wen)环境下正常(chang)工作，为这些对材(cai)料性能要求极高(gao)的(de)行业提供可靠的(de)支持(chi)。

特(te)(te)殊处(chu)(chu)理(li)(li)石墨(mo)(mo)棒（如(ru)抗氧(yang)(yang)(yang)化(hua)涂(tu)层石墨(mo)(mo)棒）。使用(yong)温(wen)度范围：经过(guo)特(te)(te)殊抗氧(yang)(yang)(yang)化(hua)处(chu)(chu)理(li)(li)后，在(zai)(zai)原有基础上(shang)可提高(gao)使用(yong)温(wen)度或(huo)延长在(zai)(zai)高(gao)温(wen)下(xia)的(de)(de)使用(yong)寿命，一(yi)般可在(zai)(zai)2000℃以上(shang)的(de)(de)高(gao)温(wen)环境中使用(yong)，部分高(gao)性(xing)(xing)能(neng)产品甚(shen)至能(neng)在(zai)(zai)3000℃以上(shang)保持(chi)一(yi)定性(xing)(xing)能(neng)。通过(guo)在(zai)(zai)石墨(mo)(mo)棒表面涂(tu)覆抗氧(yang)(yang)(yang)化(hua)涂(tu)层，可以有效阻止(zhi)氧(yang)(yang)(yang)气与石墨(mo)(mo)棒基体的(de)(de)直(zhi)接接触(chu)，从而减缓氧(yang)(yang)(yang)化(hua)速度。这种特(te)(te)殊处(chu)(chu)理(li)(li)的(de)(de)石墨(mo)(mo)棒在(zai)(zai)航(hang)空(kong)航(hang)天、高(gao)温(wen)能(neng)源(yuan)等领域有重要应(ying)用(yong)，能(neng)够在(zai)(zai)极端高(gao)温(wen)环境下(xia)保持(chi)较好的(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)，满(man)足(zu)特(te)(te)殊工艺和设(she)备的(de)(de)要求。